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才攻破7nm 三星宣布5nm、4nm、3nm工艺,直逼物理极限
时间:2018-05-25 17:16来源:未知 作者:admin 点击:

这两年,三星电子、台积电在半导体工艺上一路狂奔,虽然有技术之争但把曾经的领导者Intel远远甩在身后已经是不争的事实。

 

在美国举行的三星工艺论坛SFF 2018 USA之上,三星更是宣布将连续进军5nm、4nm、3nm工艺,直逼物理极限。

 

7LPP (7nm Low Power Plus)

 

三星将在7LPP工艺上首次应用EUV极紫外光刻技术,预计今年下半年投产。关键IP正在研发中,明年上半年完成。

 

5LPE (5nm Low Power Early)

 

在7LPP工艺的基础上继续创新改进,可进一步缩小芯片核心面积,带来超低功耗。

 

4LPE/LPP (4nm Low Power Early/Plus)

 

最后一次应用高度成熟和行业验证的FinFET立体晶体管技术,结合此前5LPE工艺的成熟技术,芯片面积更小,性能更高,可以快速达到高良率量产,也方便客户升级。

 

3GAAE/GAAP (3nm Gate-All-Around Early/Plus)

 

Gate-All-Around就是环绕栅极,相比于现在的FinFET Tri-Gate三栅极设计,将重新设计晶体管底层结构,克服当前技术的物理、性能极限,增强栅极控制,性能大大提升。

 

三星的GAA技术叫做MBCFET(多桥通道场效应管),正在使用纳米层设备开发之中。

 

大家可能以为三星的工艺主要用来生产移动处理器等低功耗设备,但其实在高性能领域,三星也准备了杀手锏,大规模数据中心、AI人工智能、ML机器学习,7LPP和后续工艺都能提供服务,并有一整套平台解决方案。

 

比如高速的100Gbps+ SerDes(串行转换解串器),三星就设计了2.5D/3D异构封装技术。

 

而针对5G、车联网领域的低功耗微控制器(MCU)、下代联网设备,三星也将提供全套完整的交钥匙平台方案,从28/18nm eMRA/RF到10/8nm FinFET任选择。 

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