当前位置: 主页 > 中文 > 新闻中心 >
总投资25亿元的集成电路制造项目签约落户浙江嘉兴
时间:2019-11-11 17:14来源:未知 作者:admin 点击:
11月7日,氮化镓(GaN)射频及功率器件产业化项目正式签约落户嘉兴科技城。区委书记、嘉兴科技城党工委书记朱苗,嘉兴科技城管委会副主任曹建弟,浙江博方嘉芯集成电路科技有限公司负责人出席签约仪式。

该项目将新建大型规模化的GaN射频器件与功率器件生产基地,总投资25亿元,占地110亩。项目全部达产后可实现年销售30亿元以上,年税收7000万元以上。GaN属于第三代高大禁带宽度的半导体材料,和第一代的Si以及第二代的GaAs等相比,具有高工作频率、电子迁移速率、抗天然辐射及耗电量小等特性,能够广泛运用于5G通讯基站、智能移动终端、物联网、军工航天、数据中心、通信设备、智能电网及太阳能逆变器等领域。
联系我们
电话:+86-512-62870366
传真:+86-512-62872996
Email: kevin.xia@sicreat.com
地址:苏州工业园区金鸡湖大道99号苏州纳米城
2015-2016 苏州新美光纳米科技有限公司 版权所有 Suzhou Sicreat Nanotech Co.,Ltd. All rights reserved.